半導體光電投稿要求

來稿要求及注意事項:

1. 來稿文責自負。文稿務必主題明確,論述合理,邏輯嚴謹,數據可靠,敘述清楚,文字精煉。內容應保守國家機密,引用他人作品應給出來源。

2. 普通類型文稿一般不超過8000字，綜述稿不限。所有稿件應附中英文題名、作者名、單位名、摘要和關鍵詞。基金項目應注明編號。

3.摘要應包括目的、方法、結果和結論四個要素,也就是用簡潔的語言說明文章要解決的問題,主要工作過程及所采用的技術手段和方法,研究所獲得的實驗數據、結果及其意義。篇幅以200～250 字為宜。

4.關鍵詞以5～8 個為宜。為便于文獻檢索, 應盡可能提供中圖分類號。

5.文中涉及的物理量和計量單位應符合國家有關標準。計量單位請用GB3100 - 3102 - 93《量和單位》規定的法定計量單位。注意區分各物理量符號的文種、大、小寫、正、斜體(矢量和矩陣用黑斜體)、上、下角標等。

6.插圖和表格應有圖題和表題。插圖應采用計算機制作，勿用截圖。本刊自2020年第4期開始改版為彩色印刷，接受彩色圖文件。請在投稿時一并提交圖文件，分辨率不低于600dpi，框圖、流程圖等推薦用visio軟件繪制。

7.文稿中引用他人的成果,務請寫明原作者姓名、題名、來源,一并在參考文獻中給出,并在正文中相應位置進行標示,否則責任由來稿人自負。參考文獻只擇主要的。

文獻的著錄格式嚴格按照以下形式書寫（含標點符號）：

1) 專著：作者.書名.版本(第1版不著錄)［M］.出版地:出版者,出版年:起止頁碼.

2) 譯著:作者.書名［M］.譯者,譯.出版地:出版者,出版年:起止頁碼.

3) 期刊:作者.題名［J］.刊名,出版年份,卷(期):起止頁碼.

4) 會議論文集:作者.題名［C］// 編者.論文集名.出版地:出版者,出版年:起止頁碼.

5) 學位論文:作者.題名:［學位論文］［D］.保存地:保存者,年份.

6) 專利文獻:專利申請者.題名.專利國別,專利號［P］.公告日期或公開日期.

7) 標準:責任者.標準代號 標準名稱［S］.出版地:出版者,出版年.

8) 電子文獻標注格式:主要責任者.題名：其它題名信息[文獻類型標志/文獻載體標志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].獲取和訪問路徑.

9) 注意事項

（1）參考文獻中的外文作者名、外文刊名的縮寫一律不用縮寫點。

（2）外文著者一律用姓在名前，采用首字母縮寫（中國人用全名不縮寫）。姓和名之間不加逗號，名2個以上大寫首字母，2名間空一格。文獻作者3名以內全部列出，4名以上則列前3人，后加“et al”。各著者間不加“and”、“和”等，應用逗號分開。

（3）外文題名第一個單詞首字母大寫，其余單詞（專有名詞除外）均不大寫。

（4）外文刊名應按國際標準規定縮寫，不加縮寫點。

（5） 為擴大期刊論文的傳播范圍，提高影響力，即日起，凡文中涉及的中文參考文獻，請提供對應外文格式。

8.來稿請注明作者詳細通信地址、郵編、聯系電話，以及電子郵箱。投稿后請關注本刊微信公眾號，并綁定投稿賬號，以便第一時間接收稿件動態信息。

9. 作者在投稿前可通過網站首頁上方菜單欄中“不端檢測”或右下角友情鏈接“萬方學術不端檢測系統”進行論文查重檢測（由萬方系統收費，作者自愿選擇，本編輯部不收取任何費用）。

10.本刊編輯部將在收到稿件兩個月之內對來稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知,作者有權對稿件另行處理。稿件一經刊用,本刊將酌付稿酬并贈送樣刊。

11.來稿一經錄用并刊登，其復制權、發行權、信息網絡傳播權、翻譯權、匯編權在全世界范圍內轉讓給《半導體光電》編輯部，編輯部根據需要獨家代理申請本文的版權登記事項。如有特殊要求，請務必來電告知。未特別說明者，視為同意本條約定。所有相關費用均包含在本刊支付的稿費中。